[发明专利]铜锰合金型磁自旋阀无效
| 申请号： | 00116544.5 | 申请日： | 2000-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1116686C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王辉;夏宇兴 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜锰合金型磁自旋阀，利用磁控溅射制备，采用最佳非磁层掺杂配方，用于两种特殊结构的磁自旋阀，分别为Co/CuMn/Co和CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn，即在Co/Cu/Co结构中，以CuMn合金层替代非磁中介层Cu形成Co/CuMn/Co，再加以缓冲层和覆盖层形成CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn，CuMn合金中Mn原子的含量为3％～11％。这两种特殊结构的磁自旋阀，低场特性差别较大，但是都非常独特。本发明具有低饱和场、高灵敏度的特性，可适用于不同的实际应用需要。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 自旋 | ||
【主权项】：
1、一种铜锰合金型磁自旋阀，采用非磁层掺杂配方，在Co/Cu/Co结构中，以CuMn合金层替代非磁中介层Cu形成Co/CuMn/Co，其特征在于中间层CuMn合金中Mn原子的含量为6％。
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