[发明专利]制作发光二极管外延晶片的方法有效
| 申请号： | 00117643.9 | 申请日： | 2000-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1307356A | 公开（公告）日： | 2001-08-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;张中英 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/24;H01L21/30;H01L21/324;H01L33/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在一基底上制作一低电阻系数P型化合物半导体材料的方法,包括利用HVPE、OMVPE或MBE工艺,在该基底上形成一P形掺杂化合物半导体层;以及对该P型掺杂化合物半导体层进行一微波处理。该方法可以将高电阻系数的P型化合物的半导体材料转变成为具有低电阻系数。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 发光二极管 外延 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在一基底上制作一低电阻系数P型化合的半导体材料的方法，该方法包括：在该基底上形成一P型掺杂化合物半导体层；以及对该P型掺杂化合物半导体层进行一微波处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
