[发明专利]用于实时测定加工过程中工件的原位发射率的系统和方法无效
| 申请号： | 00117951.9 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1272556A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | J·P·赫布;A·沙基 | 申请（专利权）人： | 易通公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/00;H01L21/66;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,陈景峻 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个用于测出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件(w)在加工过程中的反射率的系统(10)和方法。该系统首先直接求出在热加工装置的加热室(74)外部的工件反射率,然后通过使外部晶片反射率与在加热室内的晶片反射辐射强度相关,求出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件在加工过程中的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 实时 测定 加工 过程 工件 原位 发射 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于实时测定在热加工装置(22)的加热室(74)内加工期间的半导体晶片发射率的方法，所说的方法包括以下步骤：求出在热加工装置(22)的加热室(74)外的晶片(w)的反射率，求出当晶片被置于热加工装置(22)的加热室(74)内的晶片(w)反射的辐射强度，使求出的在热加工装置(22)的加热室(74)外的晶片(w)的反射率与测出的晶片被置于加热室(74)内的晶片(w)反射的辐射强度相关，以求得加热室内的晶片的反射率，及从相关的在热加工装置内部的晶片的反射率，测出在加工过程中实时的晶片(w)发射率。
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