[发明专利]基于Ⅲ－氮化物半导体超晶格的单极发光器件无效
| 申请号： | 00118379.6 | 申请日： | 2000-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1277461A | 公开（公告）日： | 2000-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王望南;优利·G·施里特;优利·T·里班 | 申请（专利权）人： | 华上光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了有效利用两个n型Ⅲ－氮化物半导体超晶体之间的“p－n结”的基于Ⅲ－氮化物半导体的单极发光器件(ULED)的制造方法。这样的器件在正向偏置时和现有发光器件一样地工作,但是其发射不是因电子和空穴的再合并引起的,而是因电子从浅子带超晶格向深子带超晶格跃迁而引起的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 半导体 晶格 单极 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，具有多个完全由本征或n型III-氮化物半导体或合金构成的超晶格。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华上光电股份有限公司，未经华上光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00118379.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水电解液以及锂二次电池
- 下一篇：四元声形计算机汉字输入方法及键盘
