[发明专利]红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件

摘要

红外发光元件用外延晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相生长法依次叠层了第1n型Ga_1-x1Al_x1As层(0＜X1＜1)、第2n型Ga_1-x2Al_x2As层(0＜X2＜1)、n型Ga_1-x3Al_x3As包层(0＜X3＜1)、发光波长在850～900nm范围内的p型Ga_1-x4Al_x4As有源层(0＜X4＜1)、p型Ga_1-x5Al_x5As包层(0＜X5＜1)之后，除去上述n型GaAs衬底后形成的上述5层，其中p型Ga_1-x5Al_x5As包层的层厚在5～30微米的范围内，该p型Ga_l-x5Al_x5As包层中的氧浓度在3×10¹⁶原子/cm³以下。

主权项

1.一种红外发光元件用外延晶片，该晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相外延生长法依次叠层了第1n型Ga1-x1Alx1As层(0＜X1＜1)、第2n型Ga1-x2Alx2As层(0＜X2＜1)、n型Ga1-x3Alx3As包层(0＜X3＜1)、发光波长在850～900nm范围内的p型Ga1-x4Alx4As有源层(0＜X4＜1)、p型Ga1-x5Alx5As包层(0＜X5＜1)之后，除去上述n型GaAs衬底后形成的上述5层，其特征是：该p型Ga1-x4Alx4As有源层的主要杂质为锗，该n型Ga1-x3Alx3As包层中的锗浓度是3×1016原子/cm3以下，该p型Ga1-x5Alx5As包层的层厚在5～30微米的范围内，该p型Ga1-x5Alx5As包层中的氧浓度在3×1016原子/cm3以下。