[发明专利]制造磁性石榴石单晶膜和具有不均匀厚度的磁性石榴石单晶膜的方法无效
| 申请号： | 00118684.1 | 申请日： | 2000-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1278649A | 公开（公告）日： | 2001-01-03 |
| 发明（设计）人： | 藤野优 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01F41/28 | 分类号： | H01F41/28;H01F10/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用液相外延工艺制造磁性石榴石单晶膜的方法,它包括以下步骤;在非磁性石榴石单晶基底上形成任何想要的形状和具有任何想要的厚度铂或铂合金膜;将此非磁性石榴石单晶基底与含有作为助熔剂的氧化铅的磁性石榴石原材料的熔体相接触,以使当以助熔剂使铂或铂合金膜从非磁性石榴石单晶基底上去除时生长出磁性石榴石单晶膜于非磁性的石榴石单晶基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁性 石榴石 单晶膜 具有 不均匀 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1．一种借助于液相外延工艺制造磁性石榴石单晶膜的方法，其特征在于它包括以下步骤：提供一其上具有铂或铂合金膜的非磁性石榴石单晶基底；和将所述非磁性石榴石单晶基底与含有作为助熔剂氧化铅的磁性石榴石原材料熔体相接触以在非磁性石榴石单晶基底上生长出磁性石榴石单晶膜，同时用所述助熔剂从该非磁性石榴石单晶基底上去除掉所述铂或铂合金膜。
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