[发明专利]去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法无效
| 申请号： | 00118797.X | 申请日： | 2000-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1330395A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张宏隆;龚明丽;吕泓岳;刘芳妃 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司;台湾茂矽电子股份有限公司;亿恒科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法,适用于金属图案或是接触孔图案的限定,在进行蚀刻与剥除光致抗蚀剂步骤之后,利用磁场加强型反应离子蚀刻法清除残留物质,其反应条件如下以含氟与氧的气体当作反应气体、采用10～50mtorr的压力、采用20～100高斯的磁场。根据本发明的光致抗蚀剂后残留物质的清除方法,能够有效地去除残留物质,并且减少金属腐蚀的可能性以及避免缺陷产生。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光致抗蚀剂后 残留 物质 清除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法，适用于金属图案的限定，该清除方法包括下列步骤：(a)提供一半导体基底，该基底形成有多个半导体元件；(b)在该半导体基底形成一铝铜金属层；(c)在该铝铜金属层表面形成一光致抗蚀剂图案；(d)利用该光致抗蚀剂图案当作蚀刻掩模，并且选择性蚀刻该铝铜金属层，以形成一铝铜金属图案；(e)剥除该光致抗蚀剂图案，此时该铝铜金属图案的侧壁具有残留物质；(f)利用磁场加强型反应离子蚀刻法清除该残留物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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