[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 00118820.8 | 申请日： | 2000-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1143372C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 阿久津恭志 | 申请（专利权）人： | 索尼化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在通过热固化性粘结剂将半导体元件粘结在布线板上来制造半导体器件的情况下，可不残留空隙地使粘结剂固化，可以实现良好的连接可靠性。在通过含有以热固性树脂作为主要成分的粘结剂，进行加热加压处理将半导体元件连接在布线板上的半导体器件的制造方法中，首先按除去粘结剂中的空隙的第一条件(压力＝P1，温度＝T1)进行加热加压处理，接着，按使热固化性树脂彻底固化的第二条件(压力＝P2，温度＝T2)进行加热加压处理(但是，与第一条件的压力P1相比，将第二条件的压力P2设定为低压)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，通过含有以热固性树脂作为主要成分的粘结剂，进行加热加压处理将半导体元件连接在布线板上，其特征在于，在压力为P1，温度为T1的第一条件下进行加热加压处理，以除去粘结剂中的空隙然后，在压力＝P2，温度＝T2的第二条件下，进行加热加压处理，使热固化性树脂彻底固化，并且与第一条件的压力P1相比，将第二条件的压力P2设定为低压，与T1相比，将T2设定成高温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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