[发明专利]具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作无效
| 申请号： | 00118877.1 | 申请日： | 2000-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1155999C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 乌尔里克·格里宁;卡尔·J·拉登斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造集成电路器件的方法和结构：在衬底中制作存储器件，光刻制作栅窗口，在栅窗口中制作第一间隔，用第一间隔在衬底中制作条形窗口以对准条形窗口，在条形窗口中制作第二间隔，用第二间隔在衬底中制作隔离窗口，用绝缘材料填充隔离窗口，在栅窗口中形成台阶，形成第一扩散区，在衬底和台阶上制作栅绝缘层，制作栅导体，形成第二扩散区，制作与栅导体隔离的接触，栅导体中的电压形成邻近台阶的衬底中的导电区，与条形和接触电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 晶体管 对准 掩埋 导体 f2 单元 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路芯片的方法，它包含：在衬底中制作至少具有一个台阶的窗口；在所述台阶下方的所述窗口中制作第一导体；在邻近所述第一导体和所述台阶下方的所述衬底中形成第一扩散区；在所述台阶上方制作栅导体；在邻近所述栅导体的所述衬底上方制作第二导体；以及在邻近所述第二导体的所述衬底中形成第二扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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