[发明专利]高纯、高活性电解二氧化锰无效
| 申请号： | 00118961.1 | 申请日： | 2000-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1341777A | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 肖峥 | 申请（专利权）人： | 肖峥 |
| 主分类号： | C25B1/21 | 分类号： | C25B1/21 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730900 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在生产电解二氧化锰的过程中,添加最有效的除杂剂和活性剂,使电池原材料电解二氧化锰的总杂质含量降到0.4%以下,活性提高10%以上,完全达到和超过制作无汞电池的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 活性 电解 二氧化锰 | ||
【主权项】：
1、一种生产工艺与传统生产工艺基本相同的电解二氧化锰，在生产过程中添加铁氰化钾或亚铁氰化钾除钴，丁二酮肟除镍，六销基二苯胺或氟硅酸、硫酸锆除钾，二甲胺基荒酸钠(SDD)除重金属。并添加稀土氧化物提高活性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖峥，未经肖峥许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00118961.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种同步清洗方法
- 下一篇：用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法
