[发明专利]多层感应元件及其制造方法无效
申请号: | 00118989.1 | 申请日: | 2000-08-04 |
公开(公告)号: | CN1163918C | 公开(公告)日: | 2004-08-25 |
发明(设计)人: | 内木场文男;小嶋则幸 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种多层感应元件,它的基体是由属于尖晶石铁氧体的组成物组成的,在基体的内部装有主要成分是银的内部导体。内部导体被拉出基片的外部,在该拉出部装设外部电极。内部导体包含锰和铋,在内部导体和基片间界面的锰和铋含量多于其它区域。将0.02-0.1重量%MnO2和0.5-1.2重量%Bi2O3添加到用于内部导体的主要成分是银的膏体中;将所述膏体与尖晶石铁氧体烧固到一起。 | ||
搜索关键词: | 多层 感应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种多层感应元件,其包括:由属于尖晶石铁氧体的组成物组成的基体;位于基体内部主要成分是银的内部导体,所述的内部导体被拉出基体之外;设置在所述内部导体拉出部的外部电极;其特征在于所述的内部导体包含锰和铋,在内部导体和基体间界面的锰和铋含量多于其它区域,且多层感应元件中MnO2和Bi2O3的加入量为,以内部导体所含的金属成分的重量计,MnO2的量为0.02-0.1重量%,Bi2O3的量为0.5-1.2重量%。
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