[发明专利]白色发光二极管有效
| 申请号： | 00119000.8 | 申请日： | 2000-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1343013A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 许进恭;刘家呈;周铭俊;章绢明;李秉杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 白色发光二极管,包含由蓝宝石形成的绝缘基片、氮化镓长晶层、n型氮化镓缓冲层、p型氮化镓接触层、p型氮化铝镓限制层、氮化铟镓多重量子阱发光层,每一阱中掺杂锌、n型氮化铝镓限制层、n型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层,其中部分以蚀刻除去,使露出部分n型氮化镓接触层、形成在n型氮化镓接触层的露出部分上与透明导电层接触的n型Ni/Au前电极,蓝宝石不导电,须将发光二极管蚀刻至p型氮化镓接触层,然后在p型氮化镓接触层上形成p型Ni/Au后电极。 | ||
| 搜索关键词： | 白色 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种白色发光二极管，包含：一氮化铟镓发光层，其具有一第一主要表面与一第二主要表面；一p型限制层，其与该氮化铟镓发光层的该第一主要表面结合；以及一n型限制层，其与该氮化铟镓发光层的该第二主要表面结合；其特征在于：该氮化铟镓发光层包含InxGa1-xN，其中，0.15≤x≤0.5，且该氮化铟镓发光层中掺杂预定种类的元素，使在该氮化铟镓发光层中产生黄光主波峰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00119000.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
