[发明专利]准周期结构的介电体超晶格材料及制备方法

摘要

准周期介电体超晶格材料及设置方法，用铁电单晶材料制成准周期电畴，其参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件：该准周期结构是由A、B两个基元按准周期序列排列构成，该序列可以用投影的方法得到，即在一个二维正方点阵中做一条斜率为tanθ的直线，投影区域宽度为sinθ+cosθ，区域内格点向该直线的投影点构成了投影角为θ的二组元准周期序列。本发明将准周期结构材料来实现耦合参量过程的多重准位相匹配。

主权项

1、一种准周期结构的介电体超晶格材料的制备方法，用铁电单晶材料制成准周期电畴结构，对于非铁电晶体则用机械加工的方法来制备所需晶片，然后按准周期序列采用叠片的方法排列，或用MOCVD，PLD，MBE，Sol-Gel工艺制备，其特征是对准周期结构参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件：该准周期结构是由A、B两个基元按准周期序列排列构成，该序列用投影的方法得到，即在一个二维正方点阵中做一条斜率为tanθ的直线，投影区域宽度为sinθ+cosθ，区域内的格点向该直线的投影点就构成了一个投影角为θ的二组元准周期序列，其通项公式为：式中，f(n)=C0+nτ-[C0+nτ],]]>[x]表示对取整，τ为投影角的正切，C₀为常数，n为自然数。