[发明专利]光盘基片无效
申请号: | 00119231.0 | 申请日: | 2000-03-25 |
公开(公告)号: | CN1150538C | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 尹斗燮;朴彰民 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/007 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 具有深度为λ/4n到λ/2n的深凹槽的光盘基片,这里λ是光拾取器激光束波长,n是基片的折射率。光盘基片包括:多个具有预定深度的深凹槽,各个深凹槽具有以θ角倾斜的侧壁,和多个具有与基片表面相同水平面的凸面,其中用于最小串扰的凹槽深度D是由下述数学关系确定。D=0.4022-0.4574×A+0.6458×A2 | ||
搜索关键词: | 光盘 | ||
【主权项】:
1.一种用于凸面和凹槽记录的光盘基片,包括:多个具有预定深度的凹槽,各个凹槽具有相对于光盘基片表面倾斜的侧壁;和具有与光盘基片表面相同水平面的多个凸面;其中用于最小串扰的凹槽深度D是由下述数学关系[1]确定的:D=0.4022-0.4574×A+0.6458×A2 [1]这里A = NA · TP λ × 1 sin 2 θ ]]> TP表示光盘基片的轨道间距,NA表示光拾取器物镜的数值孔径,θ是凹槽侧壁延伸方向相对于光盘基片表面的倾斜角,λ是光拾取器激光束波长;和n是光盘基片的折射率,其中轨道间距TP和倾斜角θ满足下述关系[3]:tan θ ≥ D TP - Wm - - [ 3 ] ]]> 这里Wm是最小记录标记的宽度。
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