[发明专利]改善电子元件中的像素电荷转移的电子元件和方法无效
申请号: | 00119938.2 | 申请日: | 2000-07-03 |
公开(公告)号: | CN1283872A | 公开(公告)日: | 2001-02-14 |
发明(设计)人: | 詹妮弗·J·帕特森;马克·S·斯文森;克利福德·I·德劳利 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有一个图象传感器件(41、71、86、132、182、212)的电子元件和一种用于改善图象传感器件(41、71、86、132、182、212)中的像素电荷转移的方法。图象传感器件(41、71、86、132、182、212)在源极区(43、83)和图象传感区之间有一个转移栅极(42、82)。形成图象传感区以便在最接近转移栅极(42、82)比在转移栅极(42、82)末端点具有更宽的器件宽度。 | ||
搜索关键词: | 改善 电子元件 中的 像素 电荷 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有光电传感器的电子元件,该光电传感器的特征在于:具有一个表面的第一导电型半导体材料;与一部分半导体材料重叠并具有第一和第二栅极边缘的转移栅极;与转移栅极相邻并从该表面延伸到半导体材料中的第二导电型的第一掺杂区,该第一掺杂区具有与第二有源区边缘隔开第一距离的第一有源区边缘和与第四有源区边缘隔开第二距离的第三有源区边缘的第一掺杂区,其中第一距离等于或大于第二距离,和其中第一和第二有源区边缘比第三和第四有源区边缘更靠近转移栅极的第一栅极边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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