[发明专利]晶片加热装置以及使用其加热晶片的方法无效
申请号: | 00120146.8 | 申请日: | 2000-07-18 |
公开(公告)号: | CN1282003A | 公开(公告)日: | 2001-01-31 |
发明(设计)人: | 朴赞勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;H01L21/027;H01L21/30 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 李晓舒 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种采用一种液态传热介质加热晶片的方法和装置。热量是由一加热源产生的。加热源的热量被传递给流态传热介质,从而使其的一液态部分气化。流态传热介质包含在一形成在加热源与固态传热介质之间的空间之内。蒸汽的热量传递给固态传热介质,蒸气冷凝下来而回返为液态部分。晶片因而由固态传热介质予以加热。这样,晶片可以均匀地加热,亦即其表面处具有很微小的温度偏差。晶片和形成在其上的光刻薄膜所经受的热冲击相应地都很微小的。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加热 装置 以及 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片加热方法,包括以下各步骤:生成有待供向晶片的热量;传递热量给流态传热介质的液态部分,数量足以气化液体并从而产生蒸气;从流态介质的蒸气传递热量给固态传热介质,从而蒸气冷凝返回液相;以及支承晶片在固态传热介质上,以致晶片由已经从流态传热介质的蒸气传递给固体传热介质的热量予以加热。
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