[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的生长方法及气相生长装置无效
| 申请号： | 00120164.6 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1129956C | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 弘田龙;龙见雅美 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在生长III-V族氮化物半导体(GaN)的气相生长装置1中，其内部配置盛装III族元素的容器11，同时还配置包括具有通入氮的导入口7的反应室3，激发由导入口7通入的氮为等离子体的激发装置15，加热配置在反应室3内晶种10和盛装容器11的加热装置13，在晶体10上生长III-V族氮化物半导体时，由导入口7通入氮，反应室3内的气体不向反应室3外排放。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 生长 方法 相生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体的成长方法，该方法为在反应室内设置的晶种上生长氮化镓半导体的氮化镓成长方法，其特征是，利用设置在所述反应室周围的加热装置来加热反应室，由此对晶种进行间接加热，将连续通入所述反应室内的氮进行等离子体激发，同时蒸发放置在上述反应室内的镓元素，使上述等离子体激发的氮和上述蒸发的镓元素进行反应，在上述晶种上生长氮化镓半导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00120164.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
