[发明专利]通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触

摘要

一种用来制作栅导体下方具有SOI体接触的半导体器件的结构和工艺。栅导体被分割成多个区段，并在器件宽度上的各个栅导体区段下方提供体接触。多个体接触可以分布成横贯栅导体的长度。这导致空穴横贯本体的路径比较短，从而使积累的电荷能够从栅下方的本体区被清除。此结构提供了工作于高速下的任何宽度的SOIMOSFET的稳定而有效的体接触操作。

主权项

1.一种在绝缘体上硅衬底上制作栅导体下方的绝缘体上硅体接触的方法，它包含下列步骤：(a)在所述绝缘体上硅衬底上淀积第一绝缘层；(b)在所述第一绝缘层中制作窗口，所述窗口延伸穿过所述第一绝缘层和所述栅导体到达半导体衬底，所述窗口具有一对侧壁和一个底部；(c)在邻近所述第一绝缘层和所述栅导体区的每一个所述侧壁上制作绝缘间隔；(d)在所述窗口中淀积第一导电材料层；(e)使所述第一导电材料层凹下到一定高度，致使所述第一导电材料层的顶部保持与所述绝缘体上硅衬底中的单晶硅层电接触的步骤；(f)在所述窗口中的所述导电材料上淀积第二绝缘层。