[发明专利]具有可独立调节参数的晶体管的结构与工艺集成

摘要

修正半导体器件的工艺规则来提供双功函数掺杂，降低了热预算和硼渗透，缓解了对可高度回流介电材料的要求，方便了源-漏(S-D)和卤素注入剂的使用。在提供低的S-D结电容和漏电以及抗热载流子效应的情况下，还提供了能够抑制短沟道效应的横向掺杂分布的结构和工艺。能够制作无边界接触，可降低接触柱到栅导体的电容。能够与栅导体掺杂无关地对S-D结进行掺杂，更容易获得各种各样的MOSFET结构。

主权项

1.一种制造MOSFET结构的工艺，它包含下列步骤：制作层状结构，它包括覆盖基底晶片的氧化物牺牲层、覆盖氧化物牺牲层的多晶硅层、以及覆盖多晶硅层的氮化物层，其中的层状结构位于相对的抬高了的浅沟槽隔离区之间；对氮化物层和多晶硅层进行腐蚀，以形成具有延伸到氧化物牺牲层的侧壁的窗口；在窗口的侧壁上制作间隔；对基底晶片进行注入，以设定MOSFET的阈值电压；从窗口剥离间隔和氧化物牺牲层，以暴露基底晶片；在暴露的基底晶片上制作栅介电层；用掺杂的栅结构填充窗口的底部；对掺杂的栅结构进行注入，以设定栅结构的功函数；以及用难熔金属淀积物覆盖被注入的栅结构。