[发明专利]制冷晶体的封装方法无效

专利信息
申请号: 00121521.3 申请日: 2000-08-09
公开(公告)号: CN1337748A 公开(公告)日: 2002-02-27
发明(设计)人: 陈聪智 申请(专利权)人: 陈聪智
主分类号: H01L35/18 分类号: H01L35/18;H01L35/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平,朱黎光
地址: 台湾省桃园*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种致冷晶体的封装方法,步骤是由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;该上、下基板予网版印刷多个导电胶;该导电胶上排置贴附定位金属导片,金属导片上涂布一层助焊剂;下基板上贴附金属导片两端取不同极性的锑铋晶粒排置接着定位,用探针极性测试;上基板对合下基板压制成致冷晶体;烘干处理制成成品;在晶粒组装上能一次完成多工作业,有效缩短制程时间,避免人工排置晶粒的误辨组配,大幅提升封装合格率,达快速大量生产。
搜索关键词: 制冷 晶体 封装 方法
【主权项】:
1、一种致冷晶体的封装方法,是包括下列步骤:(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶;(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上,且金属导片上并施以涂布一层助焊剂;(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端,以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒呈现不同极性对应排置;(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试,以辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置;(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体;(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品;藉此上述步骤程序,使上基板及下基板间以形成多个锑铋晶粒正、负极交错排置串联桥接导通的致冷晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈聪智,未经陈聪智许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00121521.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top