[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 00121639.2 | 申请日： | 2000-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1276630A | 公开（公告）日： | 2000-12-13 |
| 发明（设计）人： | 坂间光范;浅见勇臣;石丸典子;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/314;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的是提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法。提供一种利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件,及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气,通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55—70原子%、氮浓度设定为0.1—6原子%和氢浓度设定为0.1—3原子%。为了制造这种成分的膜,基片温度设定在350—500℃,较好在400—450℃之间,放电功率密度设定在0.1—1W/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说半导体器件包括：形成为与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的基膜；形成为与所说有源层的另一表面接触的栅绝缘膜；形成为与所说栅绝缘膜接触的栅极；及形成于所说栅极上的层间绝缘膜，其中所说基膜、所说栅绝缘膜和所说层间绝缘膜中的至少一个由包括浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢的氢化氧氮化硅膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00121639.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
