[发明专利]用于生产有取向的压电薄膜的方法无效
| 申请号： | 00121971.5 | 申请日： | 2000-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1291825A | 公开（公告）日： | 2001-04-18 |
| 发明（设计）人： | 哈罗德·A·哈金斯 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H03H3/00 | 分类号： | H03H3/00;H03H9/54;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 呈现良好的压电效应的高度取向的薄的膜片在反应室中形成。这是通过轰击包含压电材料的靶来实现的。从该靶中被撞出的粒子被电离,然后静电吸引到基片表面,在那里,它们被中和并以一种有序方式被沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 取向 压电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于沉积压电材料薄膜的方法，所述方法包含以下步骤：电离将被沉积在基片表面的压电材料的粒子，以及将所述被电离的粒子静电吸引到所述基片的表面以便在其上形成薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗迅科技公司，未经朗迅科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00121971.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
