[发明专利]半导体存储元件的电容器的形成方法无效
| 申请号： | 00122216.3 | 申请日： | 2000-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1161836C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李起正;朱光喆 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用减少漏电流的发生而具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；表面处理的阶段；形成TaON膜的阶段；TaON膜结晶化的阶段；和在TaON膜上形成上部电极的阶段，所述TaON膜是在300-600℃和0.1-10乇的压力下形成的，在以对流状态或者以抛物线状喷射Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体反应气体的LPCVD反应室内形成所述膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器元件的电容器的形成方法，包括：在半导体衬底上形成下部电极的阶段；在所述下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理的阶段；在所述进行了表面处理的下部电极上，通过Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的反应，形成TaON膜的阶段；所述TaON膜结晶化的阶段；和在所述TaON膜上形成上部电极的阶段；其特征在于，在设置了喷射Ta化学蒸汽、O2气体和NH3气体的喷射头的低压化学气相沉积反应室内，形成所述TaON膜，所述TaON膜是在300-600℃和0.1-10乇的压力下形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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