[发明专利]半导体基材的制造方法无效
| 申请号： | 00122589.8 | 申请日： | 2000-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1146957C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 岩崎由希子;米原隆夫;西田彰志;坂口清文;浮世典孝 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体基材的方法，该方法包括下列步骤：在单晶硅晶片的表面上通过阳极化形成多孔层；在所述多孔层上外延生长半导体层；除去部分半导体层和多孔层；通过支撑元件支撑通过基片上的多孔层形成的半导体层；固定基片；此后对支撑元件施加拉力，机械破坏多孔层以形成薄膜半导体；其中，在施加拉力的步骤中，从基片中除边缘之外的区域开始分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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