[发明专利]具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00122716.5 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1284748A | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | 大内和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MOS半导体器件包括形成在半导体衬底上含氮的栅绝缘膜;栅电极选择性地形成在栅绝缘膜上;以及形成在栅电极和半导体衬底表面上的氧化膜,其中垂直重叠栅电极的栅绝缘膜第一部分的厚度为设置在栅电极角部的栅绝缘膜第二部分厚度的三分之一以下。由于栅绝缘膜含氮,可以抑制栅绝缘膜厚度的增加超出需要的厚度,也可以防止栅电压降低,同时可以提高MOS晶体管的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 含氮栅 绝缘 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅绝缘膜，栅绝缘膜含有氮；形成在所述栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在所述栅电极表面和所述半导体衬底上的氧化膜，其中所述栅绝缘膜有位于所述栅电极的中心部分下的第一部分，以及位于所述栅电极边缘下面的第二部分，所述第二部分厚于所述第一部分，所述第一部分的第一表面和第二表面限定了与所述第二部分交叉的第一和第二平行线，所述第一平行线位于所述第一部分和所述衬底之间，所述第二平行线位于所述第一部分和所述栅电极之间，所述第一平行线和所述衬底之间的所述第二部分的厚度为所述第二平行线和所述栅电极之间所述第二部分厚度的三分之一以下。
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