[发明专利]含锑纳米导电微粒子材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 00123297.5 申请日: 2000-11-23
公开(公告)号: CN1151512C 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 陈井良;崔国臣 申请(专利权)人: 大连三科科技发展有限公司
主分类号: H01B1/08 分类号: H01B1/08;C01G1/02
代理公司: 大连理工大学专利中心 代理人: 侯明远
地址: 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 含锑纳米导电微粒子材料及其制备方法是以锡氯化物、锑氯化物、锆氧化物、钛氧化物、硅氧化物、偶联剂、乙醇、纯水为原料,在高温、高压反应釜中,经水热合成反应,完成去氯、氧化过程,并经分散、分级、浓缩等工序,制得晶粒度在100nm以下的金属氧化物,分散在水中形成粒度在178nm以下的含锑纳米导电微粒子材料,应用于显示管、显像管的荧屏玻壳上,起到防眩光、防静电、防辐射,提高显示器件的清晰度。
搜索关键词: 纳米 导电 微粒子 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、含锑纳米导电微粒子材料,其特征在于,制成含锑纳米导电微粒子材料的原料包括锡氯化物SnCl4、锑氯化物SbCl3、锆氯化物ZrO2、钛化合物TiO2、硅化合物SiO2、偶联剂KH560、乙醇和纯水,化学组成配比是:三氯化锑 SbCl3 2.5-7.5%四氯化锡 SnCl4 4-10%二氧化钛 TiO2 1-3%二氧化锆 ZrO2 1-2.8%胶体二氧化硅 SiO2 0.2-1.2%偶联剂 KH560 0.2-0.4%乙醇 CH3CH2O 4-13%纯水 H2O 60-80%氨水 NH3H2O 3-7%
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