[发明专利]电子束曝光掩模、曝光方法和设备及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 00123809.4 | 申请日： | 2000-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1160762C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 宫坂满美 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模，每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时，只要第一限定掩模没有缺陷，则使用第一限定掩模，在第一限定掩模有缺陷时，使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 设备 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电子束曝光掩模，包括：具有多个第一限定掩模的主掩模；和具有至少与所述主掩模的所述多个第一限定掩模相同结构和相同图形的多个无缺陷的第二限定掩模的补偿掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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