[发明专利]辐射探测器件

摘要

在厚的非晶形半导体层与加压电极之间的整个区域形成载流子选择高阻薄膜，无电极区在加压电极四周。于是，利用载流子选择高阻薄膜的载流子选择性，使暗电流受到抑制，而不消弱信号响应特性。被载流子选择高阻薄膜覆盖的厚的非晶形半导体层保持有效的表面电阻。在加压电极四周的无电极区产生足够的表面电压耐受能力，抑制因偏压所致的蠕缓放电。因此，通过给加压电极加以较高的偏压而得到充分的检测灵敏度。

主权项

1.一种辐射探测器件，具有一个辐射灵敏半导体层，用以响应入射的辐射产生载流子，即电子-空穴对；一个加压电极形成于所述半导体层的前表面上，用于接受所加的偏压；多个载流子收集电极形成于所述半导体层的后表面上；以及连到各载流子收集电极的多个电荷储存电容器和多个电荷取出开关元件，各开关元件一般为断开的，各电容器中积累的电荷作为入射辐射的结果，通过接通开关元件，它作为辐射检测信号被取出，其特征在于：所述辐射灵敏半导体层是厚的非晶形半导体层；一个载流子选择高阻薄膜形成于所述厚的非晶形半导体层与加压电极之间，完全覆盖所述厚的非晶形半导体层的表面；无电极区在所述加压电极的边缘与厚的非晶形半导体层边缘之间的所述厚的非晶形半导体层四周。