[发明专利]生产薄膜单晶器件的方法无效
申请号: | 00124098.6 | 申请日: | 2000-07-14 |
公开(公告)号: | CN1156919C | 公开(公告)日: | 2004-07-07 |
发明(设计)人: | 中川克己;米原隆夫;高井康好;坂口清文;浮世典孝;岩根正晃;岩崎由希子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件,亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向,均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件,是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。 | ||
搜索关键词: | 生产 薄膜 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用薄膜单晶生产薄膜单晶器件的方法,其包括下列步骤:在衬底的表面上依次形成剥离层和薄膜单晶;把挠性薄片件粘结到薄膜单晶的表面上或者粘结到额外形成在薄膜单晶的表面上的一个层的表面上;以及通过对薄片件施加力使薄片件弯曲的方式把薄膜单晶连同薄片件一起从衬底上剥离;其特征是,在剥离步骤中,薄膜单晶的剥离是按照这样的方式进行的,即:使根据薄膜单晶最容易劈裂的平面的表象在薄膜的表面上形成的所有直线的方向,均不同于已剥离部分的前方线的方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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