[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00124135.4 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1166004C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 八木下淳史;斋藤友博;饭沼俊彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底上形成的MISFET的栅电极和所述MISFET的沟道下方阱区电连接的半导体装置中，将所述MISFET形成在所述半导体衬底上形成岛状的器件区域上，所述MISFET的栅电极与所述半导体衬底的阱区之间的电连接在所述岛状的器件区域侧面上实行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，电连接有半导体衬底上形成的金属绝缘体半导体场效应晶体管的栅电极和所述金属绝缘体半导体场效应晶体管的沟道下方的阱区，其中，所述金属绝缘体半导体场效应晶体管形成在所述半导体衬底上形成为岛状的器件区域上，以及所述金属绝缘体半导体场效应晶体管的栅电极和所述半导体衬底的阱区之间的电连接，通过在所述岛状器件区域的一部分侧面上形成的电容器来进行。
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