[发明专利]变形异质接面双极性晶体管无效
| 申请号： | 00124312.8 | 申请日： | 2000-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1296291A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏盛;吴展兴;林燕津 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,汤保平 |
| 地址： | 台湾省台北市建*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 变形 异质接面双 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种变形异质接面双极性晶体管，其具有一材料结构，以适用于低成本生产于六寸或更大尺寸的砷化镓晶圆，其特征在于该材料结构包括有：一半绝缘的GaAs(砷化镓)基板；一未掺杂的变形缓冲层；一高掺杂的n-型InGaAs(砷化铟镓)层，以形成作为该变形异质接面双极性晶体管的集极的欧姆接触；一低掺杂的n-型InGaAs(砷化铟镓)或InP(磷化铟)或InAlAs(砷化铟铝)层，以形成该变形异质接面双极性晶体管的集极；一高掺杂的p-型InGaAs(砷化铟镓)层，以形成该变形异质接面双极性晶体管的基极以及作为该基极的欧姆接触；一n-型InAlAs(砷化铟铝)或渐变的AlInGaAs(砷化铝铟镓)或InP(磷化铟)层，以形成该变形异质接面双极性晶体管的射极；一高掺杂的n-型InGaAs(砷化铟镓)层，以形成作为该变形异质接面双极性晶体管的射极的欧姆接触。
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