[发明专利]半导体模式转换器的制作方法无效
| 申请号： | 00124757.3 | 申请日： | 2000-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1343030A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘国利;王圩;朱洪亮;董杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体模式转换器的制作方法,1、在磷化铟衬底上生长下波导层;2、在波导上生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层;3、在磷化铟盖层上淀积一层介质膜;4、沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形;5、采用选择腐蚀磷化铟;6、采用选择腐蚀铟镓砷磷;7、腐蚀去掉介质膜后,重新长上磷化铟盖层,包在磷化铟中的一段厚度渐变薄、长度较短的铟镓砷磷有源区与铟镓砷磷下波导层一起构成了一个自对准方式的模式转换器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模式 转换器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体模式转换器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在磷化铟平面衬底上生长一层低折射率的下波导层；步骤2：在波导上依次生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层；步骤3：在磷化铟盖层上淀积一层介质膜；步骤4：沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形，图形的长度与转换器的长度相当；步骤5：采用选择腐蚀磷化铟，不腐蚀介质膜和铟镓砷磷的腐蚀液刻蚀磷化铟盖层，由于磷化铟在腐蚀液中侧向的腐蚀速度较快，因此在介质膜下形成一钻蚀的洞；步骤6：采用选择腐蚀铟镓砷磷，不腐蚀介质膜和磷化铟的腐蚀液刻蚀铟镓砷磷有源层，由于铟镓砷磷在钻蚀洞中的腐蚀速率较慢，因此有源层在纵向上形成了一厚度渐变的梯形；步骤7：腐蚀去掉介质膜后，重新长上磷化铟盖层，包在磷化铟中的一段厚度渐变薄、长度较短的铟镓砷磷有源区与铟镓砷磷下波导层一起构成了一个自对准方式的模式转换器。
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