[发明专利]集成硅微电阻式加速度传感器及其制造加工方法无效
| 申请号： | 00126172.X | 申请日： | 2000-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1281986A | 公开（公告）日： | 2001-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张文栋;李永红;熊继军;董海峰;刘俊;郭涛;张斌珍;孟令军 | 申请（专利权）人： | 华北工学院微米纳米技术研究中心 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;G01D5/16 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所(有限公司) | 代理人： | 李印贵 |
| 地址： | 030051 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法,包括基座、壳体,由八根为应变梁支承的质量块,压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片,主要采用微机械专用双抛硅晶片、SiO2保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火(硅片)、EPW各向异性腐蚀和RIE腐蚀等加工工艺方法。它的测量部分为整体结构,抗过载能力强,使用一个传感器可以进行一维到三维和任意方向的加速度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电阻 加速度 传感器 及其 制造 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成硅微电阻式加速度传感器，包括基座(1)，装在基座上起保护作用的壳体(2)，由应力敏感部分，质量块体部分，压敏电阻及电桥电路所构成的检测芯片(3)；其特征是所述的检测芯片在其中心是微动的质量块(4)，在质量块周围对称分布着二、四或者八根梁，用于支承质量块，所述敏感部分为梁(5)。
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