[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00126192.4 | 申请日： | 2000-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1286499A | 公开（公告）日： | 2001-03-07 |
| 发明（设计）人： | 石丸一成 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 反相器部分和传输部分的各个栅极电极,形成为仅仅在器件区域上存在,该栅极电极用局部互连进行连接。由此,可以实现微细且大容量的存储单元,而无须考虑栅极边缘或缩短现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置，其特征是包括：半导体衬底内的器件区域；隔离上述器件区域的器件隔离区域；仅仅在上述器件区域上形成的多个栅极电极；使上述栅极电极彼此间进行连接的第1局部布线；以及使上述器件区域彼此间进行连接的第2局部布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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