[发明专利]半导体存储器件的电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 00126816.3 | 申请日： | 2000-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1163965C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李起正;韩一根;梁洪善 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/10;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种能够减少漏电流的发生，具有介电常数高的电介质膜，确保大容量的半导体元件的电容器及其制造方法。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的TaON膜。然后，一边释放TaON膜内的杂质一边结晶化。之后在TaON膜上形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的电容器，包括：下部电极；在所述下部电极上形成的电介质膜；和在所述电介质膜上形成的上部电极，其中，所述电介质膜是通过一边释放TaON膜内的杂质一边使非晶态的TaON膜结晶的步骤形成的TaON膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
