[发明专利]腐蚀绝缘层和制作半导体器件的工艺无效
| 申请号： | 00127000.1 | 申请日： | 2000-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1163951C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 格尼西·拉佳格帕兰 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;C23F1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多种腐蚀绝缘层(114、400、422、426)的方法。在一组实施例中，用氧化物腐蚀组分、氟清除组分和有机腐蚀组分来腐蚀。在另一组实施例中，绝缘层(114、400、422、426)包括至少1原子重量百分比的碳或氢。用氧化物腐蚀气体和含氮的气体来腐蚀此绝缘层。在又一组实施例中，绝缘层(114、400、422、426)被制作在直径至少约为300毫米的半导体器件衬底(100)上。用氧化物腐蚀气体和含氮的气体来腐蚀绝缘层(114、400、422、426)。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 绝缘 制作 半导体器件 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用来腐蚀绝缘层(114、400、422、426)的工艺，其特征是：在衬底(100)上制作绝缘层(114、400、422、426)，其中绝缘层的介电常数小于大约3.5并且包括氢；以及用氧化物腐蚀组分、氟清除组分和有机腐蚀组分，对绝缘层(114、400、422、426)进行腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
