[发明专利]具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器无效
| 申请号： | 00128200.X | 申请日： | 2000-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1161788C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼格施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种集成存储器，其存储单元(MC)分别由两个晶体管(T1，T2)和两个电容(C1，C2)构成。和公知的具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器不同的是，电容(C1，C2)的极板电极与不同的极板电位(VPL1，VPL2)相连。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双晶 电容 存储 单元 集成 存储器 | ||
【主权项】：
1.集成存储器，具有分别由两个晶体管(T1，T2)和两个电容(C1，C2)构成的、位于位线(BL，/BL)和字线(WL)交叉点上的存储单元(MC)，在该存储单元(MC)中，分别有一个第一电容(C1)的第一电极经第一晶体管(T1)的控制端与一条位线(BL)相连，一个第一电容(C1)的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第一极板电位(VPL1)相连，一个第二电容(C2)的第一电极经第二晶体管(T2)的控制端与另一条位线(/BL)相连，一个第二电容(C2)的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第二极板电位(VPL2)相连，该极板电位不同于第一极板电位(VPL1)，并且两个晶体管(T1，T2)的控制端与至少一条字线(WL)相连，在对所述存储单元进行一次存取时，所述晶体管经该字线同时导通，其中所述位线(BL，/BL)的电位在晶体管(T1，T2)导通之前具有一个预充电电位，其特征在于，所述预充电电位位于两个极板电位(VPL1，VPL2)之间，而且是两个极板电位(VPL1，VPL2)的中间值。
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