[发明专利]薄膜电路材料的激光成象无效

专利信息
申请号: 00128400.2 申请日: 2000-10-13
公开(公告)号: CN1321060A 公开(公告)日: 2001-11-07
发明(设计)人: W·E·纳克尔;R·W·卡彭特 申请(专利权)人: 莫顿国际公司
主分类号: H05K3/02 分类号: H05K3/02;H01L27/13
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 段承恩
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 形成薄膜电气组件的方法,包括将具有所需电气性能的薄膜沉积在异质基底上,用计算机导向激光器的热能除去该薄膜的选定部分。根据本发明的一个方面,该薄膜为导电材料,例如铂或掺杂铂,且该基底为金属箔,例如铜箔。激光产生的热能烧蚀掉部分薄膜。根据本发明的另一个方面,在介电材料基底上沉积零价金属层,该基底的熔点或分解温度比零价金属的明显高。用计算机导向激光器将该零价金属层形成图案以形成电路组件,该激光提供的热能足以汽化掉零价金属层上的选定部分。
搜索关键词: 薄膜 电路 材料 激光 成象
【主权项】:
1.一种薄膜电路组件的制造方法,包括在不同材料的基底上沉积材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中。
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