[发明专利]半导体装置、半导体驻极体电容话筒及其制造方法无效
| 申请号： | 00128754.0 | 申请日： | 2000-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1289220A | 公开（公告）日： | 2001-03-28 |
| 发明（设计）人： | 大川重明;大古田敏幸;大林义昭;安田护;佐伯真一;大泽周治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;星电株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动,同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12,在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出,电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 驻极体 电容 话筒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：集成了电子电路的半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上形成了的固定电极层；以及在上述固定电极层的周围设置的、用来设置与上述固定电极层分离的振动膜的衬垫，其特征在于：这样来配置上述衬垫，使之能在上述振动膜的一部分从上述半导体衬底的端部伸出的状态下进行设置。
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