[发明专利]硅基片中形成扩散区的方法无效
| 申请号： | 00128775.3 | 申请日： | 2000-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1153263C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | D·D·科尔鲍;D·L·哈拉梅 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;邰红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在硅基片中形成具有低电阻的、可接受的缺陷密度、可靠性、和过程控制性的扩散区的方法，该方法包括：(a)使硅基片经受第一次离子注入以使硅基片内形成非晶化硅区；(b)使包含非晶化硅区的硅基片经受第二次离子注入，从而使所说的掺杂剂离子的注入峰值在非晶化硅区内；和(c)退火所说的硅基片，以使非晶化硅区重新晶体化，从而在硅基片内形成扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 片中 形成 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅基片中形成扩散区的方法，所说方法包括如下步骤：(a)利用从1×1014到5×1014原子/cm2的离子剂量及50keV或更大的能量使硅基片经受第一次离子注入步骤，进行第一次离子注入步骤的条件应该使距所说的硅基片的表面下80到150nm的深度处形成非晶化硅区；(b)使包含所说的非晶化硅区的硅基片经受第二次离子注入步骤，进行的第二次离子注入步骤是通过在所说的硅基片内注入掺杂剂离子从而使所说的掺杂剂离子的注入峰值在非晶化硅区域内；和(c)退火所说的硅基片，以使所说的非晶化硅区重新晶体化，从而在所说的硅基片内形成扩散区。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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