[发明专利]多晶硅化钨栅极的制造方法

摘要

一种多晶硅化钨栅极的制造方法，适用于一基底上，其步骤如下：首先于基底上形成一栅氧化层，再将基底移入可用来作多晶硅沉积的一设备中，然后进行第一多晶硅沉积工序与第二多晶硅沉积工序，以先后于栅氧化层上沉积第一多晶硅层与第二多晶硅层。接着于第二多晶硅层上形成一硅化钨层，再依次图形化硅化钨层、第二多晶硅层与第一多晶硅层，以形成一多晶硅化钨栅极。

主权项

1.一种多晶硅化钨栅极的制造方法，适用于一基底上，包括下列步骤：于该基底上形成一栅氧化层；将该基底移入可用来沉积多晶硅的一设备中；进行一第一多晶硅沉积工序，以于该栅氧化层之上形成一第一多晶硅层，该第一多晶硅层的厚度为3；停止该第一多晶硅沉积工序；进行一第二多晶硅沉积工序，以于该第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层，该第二多晶硅层的厚度大于该第一多晶硅层的厚度；停止该第二多晶硅沉积工序，并将该基底移出该设备；于该第二多晶硅层上形成一硅化钨层；以及依次图形化该硅化钨层、该第二多晶硅层与该第一多晶硅层，以形成一多晶硅化钨栅极。