[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 00128823.7 | 申请日： | 2000-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1161789C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 大塚伸朗;亀田靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括：一个输出缓冲器电路，具有并联的外部驱动用的多个晶体管；与一个外部电阻相连接的连接端子；以及一个输出阻抗控制电路，与上述连接端子及上述输出缓冲器电路相连接，并根据上述外部电阻对上述输出缓冲器的阻抗进行调整。该输出阻抗控制电路包括：第一导电型的第一晶体管；第一电平控制电路；第二晶体管；第二导电型的第一虚拟用晶体管组；第一控制电路；以及第二控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一个输出缓冲器电路，具有并联的外部驱动用的多个晶体管；一个与外部电阻相连接的连接端子；以及一个输出阻抗控制电路，其与上述连接端子及上述输出缓冲器电路相连接，并根据上述外部电阻对上述输出缓冲器电路的阻抗进行调整，其包括：第一导电型的第一晶体管，与上述连接端子相连接；第一电平控制电路，控制上述第一晶体管的栅极的电平使上述连接端子的电压变为规定的电压电平；第一导电型的第二晶体管，和上述第一晶体管分别共用栅极及源极；第二导电型的第一虚拟用晶体管组，与上述第二晶体管相连接，具有与上述外部驱动用的多个晶体管相对应的电路，该第一虚拟用晶体管组的各个晶体管为并联；第一控制电路，与上述第二晶体管及上述第一虚拟用晶体管组相连接，控制上述第一虚拟用晶体管组使上述第二晶体管及上述第一虚拟用晶体管组的连接节点的电平变为上述规定的电压电平；以及第二控制电路，基于上述第一控制电路的控制结果控制上述外部驱动用的多个晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00128823.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器
- 下一篇：升压电路
