[发明专利]具有线性碳结构的准一维纤维半导体及其制备方法和装置,以及使用该纤维半导体的加热元件无效

专利信息
申请号: 00129048.7 申请日: 2000-08-22
公开(公告)号: CN1287466A 公开(公告)日: 2001-03-14
发明(设计)人: 权相喜;亚历山大·德米特里耶维奇·措伊 申请(专利权)人: 株式会社KOROS
主分类号: H05B3/14 分类号: H05B3/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 韩国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种具有线性碳结构的准一维纤维半导体,制造它的方法和装置,和使用该纤维半导体的加热元件。具有线性碳结构的准一维纤维半导体特征在于向碳纤维中加入类似于磷酸根离子(PO4-3)的受体填隙杂质。以及制造具有线性碳纤维结构的准一维纤维半导体的方法,包括下列步骤电化学处理碳条、清洁电化学处理过的碳条、干燥清洁后的碳条、用硅酮溶液饱和干燥过的碳条、形成细线形式的饱和碳条。
搜索关键词: 具有 线性 结构 准一维 纤维 半导体 及其 制备 方法 装置 以及 使用 加热 元件
【主权项】:
1.一种具有线性碳结构的准一维纤维半导体,其特征在于:向碳纤维中加入类似于磷酸根离子(PO-34)的受体填隙杂质。
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