[发明专利]磁盘记录系统和双磁电阻读传感器

摘要

一种双磁电阻读传感器,其第一自旋阀结构包括第一铁磁自由层;含有经反铁磁耦合层隔开的两层铁磁材料的第一铁磁钉扎层;第一非磁性导电间隔层,位于上述自由层和钉扎层之间;第一层反铁磁材料,与第一钉扎层中的第二层铁磁材料直接接触;第二自旋阀结构包括第二铁磁自由层;第二铁磁钉扎层;第二非磁性导电间隔层,位于第二自由层和第二钉扎层之间;第二层反铁磁材料,与第二钉扎层直接接触;非磁性绝缘间隔层,位于第一自旋阀结构与第二自旋阀结构之间。

主权项

1．一种磁盘记录系统，包括：具有多条用于记录数据的磁道的磁存储介质；一个磁传感器，在所述磁传感器和所述磁存储介质之间的相对运动期间，所述磁传感器相对于所述磁存储介质保持很小间距位置，所述磁传感器包含一个磁电阻读传感器，该磁电阻读传感器包括：第一自旋阀结构，包括：第一铁磁自由层；第一铁磁钉扎层，所述第一铁磁钉扎层包括第一层和第二层铁磁材料，它们经一个反铁磁耦合层相互隔开，其中第一铁磁钉扎层是磁电阻读传感器中仅有的具有反铁磁耦合层的钉扎层；第一非磁性导电间隔层，设置在第一铁磁自由层与第一铁磁钉扎层之间；以及第一层反铁磁材料，与所述第一铁磁钉扎层中的第二层铁磁材料直接接触，用于固定所述第一铁磁钉扎层的磁化方向；第二自旋阀结构，包括：第二铁磁自由层；第二铁磁钉扎层；第二非磁性导电间隔层，设置在所述第二铁磁自由层与所述第二铁磁钉扎层之间；第二层反铁磁材料，与所述第二铁磁钉扎层直接接触，用于固定所述第二铁磁钉扎层的磁化方向；一个非磁性绝缘间隔层，设置在第一自旋阀结构与第二自旋阀结构之间；第一和第二电流源，用于产生经过所述磁电阻读传感器的电流；并且所述磁电阻读传感器的电阻率响应于外部磁场发生变化，该外部磁场是由于第一自旋阀结构和第二自旋阀结构每一个中的铁磁材料的自由层中的磁化转动造成的；与所述磁传感器连接的致动器装置，用于将所述磁传感器移动到磁存储介质上所选择的磁道；以及与所述磁电阻读传感器连接的记录通道，用于检测磁电阻读传感器中响应于磁电阻读传感器侦听到磁场而产生的电阻变化，这里的磁场代表记录在所述磁存储介质上的数据位。