[发明专利]场发射器件无效
| 申请号： | 00129222.6 | 申请日： | 2000-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1290950A | 公开（公告）日： | 2001-04-11 |
| 发明（设计）人： | 浅井博纪;山本正彦;铃木幸治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J1/308;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场发射器件基本上由三个电极组成,并包含其表面上制作发射材料的阴极、制作在向上围绕阴极的绝缘层上并具有用来使从发射材料发射的电子通过的窗口的栅电极、以及用来使通过窗口的电子加速的阳极,其中L/S为1或以上,其中S表示窗口的孔径,L表示从发射材料发射的电子通过围绕阴极的绝缘层的典型最短距离。基于这一结构,有可能在使用简单的三电极结构的情况下提供能够控制发射电子的轨道的场发射器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 | ||
【主权项】：
1．一种由三个电极组成的场发射器件，此场发射器件包含：制作在衬底上的阴极上的发射材料；制作成围绕发射材料的绝缘层；制作在绝缘层上并具有使从发射材料发射的电子穿过的窗口的栅电极；以及与发射材料相对的阳极，其中L／S≥1，其中S表示窗口的孔径，L表示从发射材料发射的电子到栅电极的典型最短通过距离。
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