[发明专利]纳米硅薄膜及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种纳米硅薄膜,其采用等离子化学汽相沉积法,在PECVD设备中生长制备，产品的晶粒大小为d=(2～6)纳米，晶态体积百分比Xc=(53±5)%,薄膜最高电导率为σrt=30Ω－1.cm－1,薄膜中电子迁移率为μ=(3～10)cm2/V.sec。用本发明的方法不仅使其电导率提高到几十Ω－1.cm－1,还能控制其导电类型(n型或p型),已基本上能满足研制纳米硅器件的需要。

主权项

1、一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在PECVD设备中生长制备，其特征在于具有以下技术特征：a、晶粒大小为d=(2～6)纳米；b、晶态体积百分比Xc=(53±5)％；c、薄膜最高电导率为σrt=30Ω-1．cm-1，电导激活能ΔE=10-2ev；d、薄膜中电子迁移率为μ=(3～10)cm2／V．sec。