[发明专利]横型异质结双极三极管及其制造方法无效
| 申请号： | 00130023.7 | 申请日： | 2000-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1159768C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 幸康一郎;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后，在半导体层中，具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si1-x-yGexCy层构成。利用异质结构造，可以将内部基极层低阻抗化，并且可以抑制通过外延生长形成由Si1-x-yGexCy层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。 | ||
| 搜索关键词： | 横型异质结双极 三极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横型异质结双极三极管，其特征是包括具有绝缘层的基板、在所述绝缘层上设置的台面状的第1半导体层、在所述第1半导体层的侧面通过外延生长形成和所述第1半导体层的带隙不同的第2半导体层、在所述第2半导体层的侧面通过外延生长形成和所述第2半导体层的带隙不同的第3半导体层，所述第2半导体层的至少一部分成为第2导电型的内部基极层。
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