[发明专利]一种硼化钇单晶的生长方法无效
| 申请号： | 00130361.9 | 申请日： | 2000-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1115428C | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 宋有庭;吴星;倪代秦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶的熔盐籽晶提拉生长方法，包括原料合成，熔料，下籽晶及生长四个环节。金属Y作助熔剂，原料溶质YB2和助熔剂Y的摩尔比为3∶2～9∶1，采用定向籽晶，籽晶以1-10℃/h的速度降温生长，并配以1-25转/分的转速及1-20mm/h的提拉速度。用这种方法可稳定地生长出YB2单晶。本方法生长YB2单晶和熔盐缓冷法比，可以获得大尺寸完整性较好的晶体；与区熔法比，因其从原料合成到生长整个工艺过程可一次完成，工艺设备简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硼化钇单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种熔盐提拉技术生长硼化钇单晶的方法，包括在坩埚内将配制好的原料和助熔剂熔化，下籽晶，缓慢降温生长，其特征在于：使用金属钇作助熔剂，原料溶质YB2和助熔剂Y的摩尔比为3∶2～9∶1。
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