[发明专利]在半导体器件上形成微细图形的方法无效
| 申请号： | 00130787.8 | 申请日： | 1996-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1146958C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 卜喆圭 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 洪玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体器件上形成微细图形而不发生塌倒的方法，它包含：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上光刻成形，随后显影形成光敏膜图形；通过自旋在大圆晶片上散布第一洗液，使第一洗液停留在包括光敏膜图形在内的大圆晶片上；在大圆晶片上散布第二洗液，使之停留在其上，同时自旋大圆晶片，从以除去其上的第一洗液；自旋大圆晶片，使第二洗液干化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 微细 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件上形成微细图形的方法，其特征在于，包含下列步骤：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上成形，随后显影形成负型光敏膜图形；用去离子水清洗大圆晶片；把加热到室温或更高温度的去离子水加到大圆晶片上，并使加热的去离子水保持一段时间，使所述光敏膜图形进行交联；以及自旋大圆晶片，使加热的去离子水干化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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