[发明专利]含有聚集染料的辐射敏感材料和照相材料无效
申请号: | 00130907.2 | 申请日: | 1996-11-30 |
公开(公告)号: | CN1313526A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | M·J·赫尔伯;W·J·哈里逊;E·-A·加洛;M·C·布力克;S·W·科图姆;G·N·巴伯 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | G03C1/83 | 分类号: | G03C1/83 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 钟守期 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种含有式(Ⅰ)的聚集染料的辐射敏感材料和照相材料,其中X、R1-R4、L1、L2、L3、M+、n如说明书中所定义,其中聚集染料具有小于55nm的吸收半谱带宽度。 | ||
搜索关键词: | 含有 聚集 染料 辐射 敏感 材料 照相 | ||
【主权项】:
1.一种辐射敏感材料,其特征在于它含有下式(Ⅰ)的聚集染料:其中X是氧或硫;R1-R4各自独立地代表未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或取代的杂芳基,其中所述烷基为含有1-6个碳原子的烷基,芳基包括苯基、萘基、蒽基和苯乙烯基,杂芳基包括吡啶基、噻吩基、呋喃基和吡咯基,而酰基包括乙氧基甲酰基、酰氨基、苯甲酰基、羧基和乙酰基;L1、L2和L3各自独立的代表取代或未取代的次甲基;M+代表质子或无机或有机阳离子;n是0、1、2或3,其中聚集染料具有小于55nm的吸收半谱带宽度。
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